AS4C256M8D2-25BCN备选型号: IS43DR16320D-25DBLI
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- IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60BGA8 Weeks表面贴装60-TFBGA60-FBGA (8x10)Volatile0°C~95°C TCTray2014活跃3 (168 Hours)95°C0°C1.7V~1.9V400MHzParallel2Gb 256M x 8400MHz57.5nsDRAMParallel15nsROHS3 Compliant----------------------------------
- DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA8 Weeks表面贴装84-TFBGA-Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)--1.7V~1.9V--512Mb 32M x 16400MHz400psDRAMParallel15nsROHS3 CompliantCopper, Silver, Tin表面贴装84e184EAR99锡银铜可编程赌场延迟8542.32.00.28BOTTOM未说明11.8V0.8mm未说明不合格1.8V1.9V1.7V1SYNCHRONOUS16b32MX163-STATE1613b512 Mb0.025ACOMMON8192484812.5mm1.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR16320D-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA | 对比 | |
| IS43DR16320D-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA | 对比 |



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