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首页 全部分类 AS4C2M32S-6BIN vs MT47H32M16NF-25E:H

AS4C2M32S-6BIN备选型号: MT47H32M16NF-25E:H

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  • 描述:
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 包装
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
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  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 时钟频率
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  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
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  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
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  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 最高频率
  • 高度
  • Alliance Memory, Inc.
    AS4C2M32S-6BIN
    Alliance Memory, Inc.
    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    90-TFBGA
    YES
    90
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    90
    AUTO/SELF REFRESH
    3.3V
    BOTTOM
    1
    0.8mm
    64Mb 2M x 32
    1
    166MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    32b
    2MX32
    3-STATE
    32
    2ns
    10b
    64 Mb
    0.002A
    COMMON
    3.6V
    3V
    4096
    1248FP
    1248
    13mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT47H32M16NF-25E:H
    Micron Technology Inc.
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
    16 Weeks
    表面贴装
    84-TFBGA
    -
    84
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Bulk
    2014
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    AUTO/SELF REFRESH
    1.8V
    BOTTOM
    1
    0.8mm
    512Mb 32M x 16
    1
    -
    400ps
    DRAM
    Parallel
    16b
    32MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    13b
    512 Mb
    0.01A
    COMMON
    1.9V
    1.7V
    8192
    48
    48
    12.5mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
    8542.32.00.28
    260
    30
    MT47H32M16
    400MHz
    1.2mm
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