AS4C32M16D2-25BCN备选型号: S29WS064RABBHW000
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 资历状况
- 电源
- 操作模式
- 电源电流-最大值
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 编程电压
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 准备就绪/忙碌
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 宽度
- DRAM 512M, 1.8V, 32M x 16 DDR2表面贴装84-TFBGAYES84Volatile0°C~85°C TCTray2013yesObsolete3 (168 Hours)84EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.281.7V~1.9VBOTTOM26011.8V0.8mm401.8V1.9V1.7V512Mb 32M x 161400MHz400psDRAMParallel16b32MX161615ns13b512 Mb12.5mm1.2mm无符合RoHS标准无铅------------------
- IC FLASH 64MBIT 108MHZ 84FBGA表面贴装84-VFBGAYES84Non-Volatile-25°C~85°C TATray2015-Obsolete3 (168 Hours)843A991.B.1.ATOP BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE8542.32.00.511.7V~1.95VBOTTOM-11.8V0.8mm--1.95V1.7V64Mb 4M x 16-108MHz80nsFLASHParallel-4MX161660ns--11.6mm1mm-ROHS3 Compliant-6 WeeksWS-R不合格1.8VASYNCHRONOUS0.076mA0.00007A67108864 bit1.8VYESYESYES41278K32KYESTOPYES8mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S29WS064RABBHW010 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 84-VFBGA | IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA | 对比 | |
| S29WS064RABBHI000 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 84-VFBGA | IC FLASH 64MBIT 108MHZ 84FBGA | 对比 | |
![]() | MT47H64M16NF-25E:M | Micron Technology Inc. | 存储器 | 84-TFBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA | 对比 |




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