AS62V256A-70SIN备选型号: 71V124SA12PHG

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 访问时间(最大)
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • RoHS状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alliance Memory, Inc.
    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP
    6 Weeks
    表面贴装
    28-SOIC (0.330, 8.38mm Width)
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2012
    e3/e6
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
    ALSO OPERATES AT MIN 2.7 V
    2.5V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    1.27mm
    40
    28
    R-PDSO-G28
    不合格
    3.6V
    3/3.3V
    2.5V
    256Kb 32K x 8
    SRAM
    Parallel
    32KX8
    3-STATE
    8
    70ns
    0.000005A
    262144 bit
    70 ns
    COMMON
    2V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
    7 Weeks
    -
    SOIC
    -
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    -
    2013
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    -
    30
    32
    -
    -
    -
    -
    -
    128kB
    -
    -
    -
    3-STATE
    -
    -
    -
    -
    -
    COMMON
    3V
    符合RoHS标准
    表面贴装
    32
    70°C
    0°C
    鸥翼
    3.3V
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.6V
    3V
    1
    130mA
    12 ns
    17b
    1 Mb
    Asynchronous
    8b
    20.95mm
    10.16mm
    1mm
    无铅
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