AS6C1008-55BIN备选型号: AS6C4008-55BINTR
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- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
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- 内存大小
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- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 资历状况
- 组织结构
- 记忆密度
- 待机电压-最小值
- SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns8 Weeks表面贴装36-TFBGAYES36Volatile-40°C~85°C TATray2006yes活跃3 (168 Hours)36EAR992.7V~5.5VBOTTOM26013V0.75mm40363V5.5V3/5V2.7V1Mb 128K x 81SRAMParallel3-STATE855ns17b1 Mb0.000003A55 nsCOMMON8mm无ROHS3 Compliant----
- SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM8 Weeks表面贴装36-TFBGAYES36Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2009-活跃3 (168 Hours)36-2.7V~5.5VBOTTOM---0.75mm----3/5V-4Mb 512K x 8-SRAMParallel3-STATE855ns--0.00003A55 nsCOMMON--ROHS3 Compliant不合格512KX84194304 bit1.5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C2008-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 36-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 36-Pin TFBGA | 对比 |
![]() | AS6C4008-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 36-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 36-Pin TFBGA | 对比 |
![]() | AS6C4008-55BINTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 36-TFBGA | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM | 对比 |



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