Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55BINTR
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AS6C4008-55BINTR
101-AS6C4008-55BINTR
存储器
36-TFBGA
大陆
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SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
--最小包装量--
AS6C4008-55BINTR详情
Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55BINTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
36-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
36
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
36
电压 - 供电
2.7V~5.5V
端子位置
BOTTOM
端子间距
0.75mm
资历状况
不合格
电源
3/5V
内存大小
4Mb 512K x 8
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
待机电流-最大值
0.00003A
记忆密度
4194304 bit
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
1.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS6C4008-55BINTR拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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