AS6C1616A-55BIN备选型号: AS6C1616-70BIN
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最大电源电流
- SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM8 Weeks表面贴装表面贴装48-VFBGA48Volatile-40°C~85°C TATray1997yes活跃3 (168 Hours)482.7V~3.6VBOTTOM13.3V0.75mm1MHz483.3V3.6V2.7V16Mb 1M x 161SRAMParallel55ns20b16 Mb55 ns700μm8.05mm10.05mm无ROHS3 Compliant无铅-
- SRAM 16M, 3V, 70ns 1024K x 16 Asyn SRAM8 Weeks-表面贴装48-LFBGA48Volatile-40°C~85°C TATray2007-活跃3 (168 Hours)-2.7V~3.6V------3V--16Mb 1M x 161SRAMParallel70ns20b16 Mb-----ROHS3 Compliant无铅60mA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV10248DBLL-55MLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM 8M (1Mx8) 55ns Async SRAM | 对比 | |
| IS62WV12816BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
![]() | AS6C1616-70BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-LFBGA | SRAM 16M, 3V, 70ns 1024K x 16 Asyn SRAM | 对比 |



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