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AS6C2016-55BIN备选型号: AS6C1016-55BIN

AS6C2016-55BIN

Alliance Memory, Inc.

SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 48-Pin TFBGA

8 Weeks
表面贴装
48-TFBGA
YES
48
Volatile
-40°C~85°C TA
Tray
2008
yes
活跃
3 (168 Hours)
48
2.7V~5.5V
BOTTOM
260
1
3V
0.75mm
40
48
3V
5.5V
3/5V
2.7V
2Mb 128K x 16
1
SRAM
Parallel
3-STATE
16
55ns
17b
2 Mb
0.00002A
55 ns
COMMON
2V
8mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
AS6C1016-55BIN

Alliance Memory, Inc.

SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 64K x 16 55ns 48-Pin TFBGA

8 Weeks
表面贴装
48-TFBGA
YES
48
Volatile
-40°C~85°C TA
Tray
2007
yes
活跃
3 (168 Hours)
48
2.7V~5.5V
BOTTOM
260
1
3V
0.75mm
40
48
3V
5.5V
3/5V
2.7V
1Mb 64K x 16
1
SRAM
Parallel
3-STATE
16
55ns
16b
1 Mb
0.00002A
55 ns
COMMON
2V
8mm
无
ROHS3 Compliant
-
EAR99
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