AS6C8008-55BIN备选型号: AS6C8016-55BIN
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
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- 包装
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 达到SVHC
- SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM8 WeeksYES48-LFBGA表面贴装48Volatile2008Tray-40°C~85°C TAyes活跃3 (168 Hours)48SMD/SMT2.7V~5.5VBOTTOM26013V0.75mm40483V5.5V3/5V2.7V8Mb 1M x 81SRAMParallel3-STATE855ns20b8 Mb0.00005A55 nsCOMMON2V8mm无ROHS3 Compliant无铅-
- ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55BIN SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TFBGA488 WeeksYES48-LFBGA表面贴装48Volatile2008Tray-40°C~85°C TAyes活跃3 (168 Hours)48-2.7V~5.5VBOTTOM26013V0.75mm40483V5.5V3/5V2.7V8Mb 512K x 161SRAMParallel3-STATE1655ns19b8 Mb0.00005A55 nsCOMMON2V8mm无ROHS3 Compliant-无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C4016-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-LFBGA | SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 48-Pin TFBGA | 对比 |
| IS62WV51216BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
![]() | AS6C8016-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-LFBGA | ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55BIN SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TFBGA48 | 对比 |



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