AS6C8016A-55ZIN备选型号: IS66WV51216DBLL-70TLI
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- 工厂交货时间
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 访问时间(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 输出特性
- I/O类型
- SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YESVolatile-40°C~85°C TATray1997e3/e6yes活跃3 (168 Hours)44PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH2.7V~3.6VDUAL26013.3V0.8mm4044R-PDSO-G443.3V3.6V2.7V8Mb 512K x 161SRAMParallel1655ns19b8 Mb55 ns无ROHS3 Compliant无铅---
- PSRAM Async Single 8M-bit 512K x 16 70ns 44-Pin TSOP-II-表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YESVolatile-40°C~85°C TATray---Discontinued3 (168 Hours)44-2.5V~3.6VDUAL-13V0.8mm-44-3.3V3.6V2.5V8Mb 512K x 161PSRAMParallel1670ns19b8 Mb70 ns无ROHS3 Compliant无铅443-STATECOMMON
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV51216BLL-55TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| IS62WV51216BLL-55TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II | 对比 | |
| IS66WV51216DBLL-70TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | PSRAM Async Single 8M-bit 512K x 16 70ns 44-Pin TSOP-II | 对比 |



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