AS6C8016A-55ZIN备选型号: IS66WV51216DBLL-70TLI

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  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
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  • 写入周期时间 - 字符、页面
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  • 密度
  • 访问时间(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 输出特性
  • I/O类型
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
    8 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    1997
    e3/e6
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
    2.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    40
    44
    R-PDSO-G44
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    8Mb 512K x 16
    1
    SRAM
    Parallel
    16
    55ns
    19b
    8 Mb
    55 ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    PSRAM Async Single 8M-bit 512K x 16 70ns 44-Pin TSOP-II
    -
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    -
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    44
    -
    2.5V~3.6V
    DUAL
    -
    1
    3V
    0.8mm
    -
    44
    -
    3.3V
    3.6V
    2.5V
    8Mb 512K x 16
    1
    PSRAM
    Parallel
    16
    70ns
    19b
    8 Mb
    70 ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    44
    3-STATE
    COMMON
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