AS7C38098A-10BIN备选型号: IS61WV51216BLL-10MLI
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- 电压 - 供电
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- 频率
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
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- 长度
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- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源
- 电源电流
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- SRAM 8M, 3.3V, 10ns, FAST 512K x 16 Asyn SRAM10 Weeks表面贴装表面贴装48-LFBGA48Volatile-40°C~85°C TATray2012yes活跃3 (168 Hours)483V~3.6VBOTTOM13V0.75mm1MHz483.3V3.6V2.7V8Mb 512K x 161SRAMParallel10ns19b8 Mb1.05mm6.05mm8.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
- SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA8 Weeks-表面贴装48-TFBGA48Volatile-40°C~85°C TATray-yes活跃3 (168 Hours)482.4V~3.6VBOTTOM13.3V0.75mm-48-3.6V2.4V8Mb 512K x 161SRAMParallel10ns19b8 Mb----无ROHS3 Compliant无铅YESe1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)260402.5/3.3V95mA3-STATE160.02ACOMMONAsynchronous16b
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV51216EDBLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA | 对比 | |
![]() | AS7C38096A-10BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-LFBGA | SRAM 8M, 3.3V, 10ns, FAST 1M x 8 Asynch SRAM | 对比 |
| IS61WV51216BLL-10MLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA | 对比 |



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