AT25DF081A-SH-T备选型号: SST25VF080B-80-4I-S2AE
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 页面尺寸
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 系列
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 访问时间
- 宽度
- 高度
- 达到SVHC
- Flash Memory 8M, 2.7-3.6V, 100Mhz Serial Flash8 WeeksGold表面贴装表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TCTape & Reel (TR)1997e4活跃1 (Unlimited)8EAR992.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm83.3V3.6V2.7VSPI, Serial8Mb 256Bytes x 4096 pages20mA100MHzFLASHSPI8b17μs, 3ms1b8 Mb0.00001ASynchronous8b2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE256B5.29mm2.16mm无ROHS3 Compliant无铅----------
- FLASH MEMORY, 8 MBIT, 80 MHZ, 8-SOIC---表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATube2016e3Obsolete3 (168 Hours)83A991.B.1.A2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm83.3V3.6V2.7VSPI, Serial8Mb 1M x 820mA80MHzFLASHSPI8b-10μs1b8 Mb0.00002ASynchronous8b2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE-5.4mm-无ROHS3 Compliant无铅YESSST25yesMatte Tin (Sn) - annealed40SST25VF080B6 ns5.4mm1.91mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SST25VF080B-80-4I-S2AE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | FLASH MEMORY, 8 MBIT, 80 MHZ, 8-SOIC | 对比 | |
| SST25VF080B-50-4I-S2AF | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | SST25VF Series 8 Mbit 1 M x 8 3 V Surface Mount SPI Serial Flash - SOIC-8 | 对比 |



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