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首页 全部分类 ATF-501P8-BLK vs BF904,215

ATF-501P8-BLK备选型号: BF904,215

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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 测试电流
  • 电压-测试
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Broadcom Limited
    ATF-501P8-BLK
    Broadcom Limited
    Trans JFET 7V 1A pHEMT 8-Pin LPCC Bag
    6 Weeks
    表面贴装
    8-WFDFN Exposed Pad
    Tin
    8
    1
    Bulk
    2014
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    150°C
    -65°C
    4.5V
    3.5W
    DUAL
    260
    1A
    2GHz
    SINGLE
    280mA
    增强型MOSFET
    3.5W
    SOURCE
    AMPLIFIER
    4.5V
    N-CHANNEL
    E-pHEMT
    1A
    MO-229
    800mV
    15dB
    1A
    7V
    29dBm
    高电子迁移率
    1dB
    Unknown
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BF904,215
    NXP USA Inc.
    DUAL N CH RF MOSFET, 7V, 30MA, 4-SOT-143B
    -
    -
    TO-253-4, TO-253AA
    -
    -
    1
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    260
    30mA
    200MHz
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    -
    SOURCE
    AMPLIFIER
    -
    -
    N-Channel Dual Gate
    -
    -
    -
    -
    0.03A
    7V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1dB
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    Tin (Sn)
    低噪音
    8541.21.00.75
    鸥翼
    40
    BF904
    4
    R-PDSO-G4
    不合格
    10mA
    5V
    0.035 pF
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