ATF-501P8-BLK
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Broadcom Limited ATF-501P8-BLK

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型号

ATF-501P8-BLK

utmel 编号

354-ATF-501P8-BLK

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

8-WFDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans JFET 7V 1A pHEMT 8-Pin LPCC Bag

起订量

1最小包装量--

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ATF-501P8-BLK
ATF-501P8-BLK Broadcom Limited Trans JFET 7V 1A pHEMT 8-Pin LPCC Bag

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ATF-501P8-BLK详情

Broadcom Limited ATF-501P8-BLK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-WFDFN Exposed Pad

  • 触点镀层

    Tin

  • 引脚数

    8

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2014

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 电压 - 额定直流

    4.5V

  • 最大功率耗散

    3.5W

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    1A

  • 频率

    2GHz

  • 配置

    SINGLE

  • 电源电流

    280mA

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    3.5W

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    4.5V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    E-pHEMT

  • 连续放电电流(ID)

    1A

  • JEDEC-95代码

    MO-229

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    800mV

  • 增益

    15dB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1A

  • DS 击穿电压-最小值

    7V

  • 功率 - 输出

    29dBm

  • 场效应管技术

    高电子迁移率

  • 噪声图

    1dB

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Broadcom Limited ATF-501P8-BLK.

右边的3个型号有着和Broadcom Limited & ATF-501P8-BLK相似的参数规格。

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ATF-501P8-BLK拓展信息

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