Broadcom Limited ATF-501P8-BLK
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ATF-501P8-BLK
354-ATF-501P8-BLK
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
8-WFDFN Exposed Pad
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Trans JFET 7V 1A pHEMT 8-Pin LPCC Bag
1最小包装量--
ATF-501P8-BLK详情
Broadcom Limited ATF-501P8-BLK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
8-WFDFN Exposed Pad
触点镀层
Tin
引脚数
8
Number of Elements
1
包装
Bulk
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
4.5V
最大功率耗散
3.5W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
频率
2GHz
配置
SINGLE
电源电流
280mA
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3.5W
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
4.5V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
E-pHEMT
连续放电电流(ID)
1A
JEDEC-95代码
MO-229
栅极至源极电压(Vgs)
800mV
增益
15dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
DS 击穿电压-最小值
7V
功率 - 输出
29dBm
场效应管技术
高电子迁移率
噪声图
1dB
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ATF-501P8-BLK拓展信息
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
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