ATF-501P8-BLK备选型号: NTJD2152PT1G
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 触点镀层
- 引脚数
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 配置
- 电源电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 噪声图
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- Trans JFET 7V 1A pHEMT 8-Pin LPCC Bag6 Weeks表面贴装8-WFDFN Exposed PadTin81Bulk2014e3Obsolete1 (Unlimited)8EAR99150°C-65°C4.5V3.5WDUAL2601A2GHzSINGLE280mA增强型MOSFET3.5WSOURCEAMPLIFIER4.5VN-CHANNELE-pHEMT1AMO-229800mV15dB1A7V29dBm高电子迁移率1dBUnknown无符合RoHS标准无铅-----------------------
- MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363-表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363-62Tape & Reel (TR)2006e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99---8V270mW-260-775mA---增强型MOSFET270mW-SWITCHING---775mA-8V-0.775A--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR---符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)表面贴装SILICON-55°C~150°C TJyesTin (Sn)鸥翼40NTJD2152P6不合格Dual2 P-Channel (Dual)300m Ω @ 570mA, 4.5V1V @ 250μA225pF @ 8V4nC @ 4.5V23ns23 ns0.3Ohm-8V逻辑电平门40 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BF904,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | TO-253-4, TO-253AA | DUAL N CH RF MOSFET, 7V, 30MA, 4-SOT-143B | 对比 |
![]() | BF909WR,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | SC-82A, SOT-343 | MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343 | 对比 |
![]() | BF1105R,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | SOT-143R | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143R T/R | 对比 |






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