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ATP102-TL-H备选型号: IRLR7807ZTRPBF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET P-CH 30V 40A ATPAKACTIVE (Last Updated: 3 days ago)2 WeeksTin表面贴装ATPAK (2 leads+tab)YES3SILICON40A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2007e6yes活跃1 (Unlimited)2EAR9918.5mOhm鸥翼260not_compliant403R-PSSO-G2Single增强型MOSFET40WDRAIN11 nsP-ChannelSWITCHING18.5m Ω @ 20A, 10V无卤素1490pF @ 10V34nC @ 10V135ns30V±20V185 ns40A20V58 mJ1.5mm6.5mm7.3mmROHS3 Compliant无铅-------------
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK-12 Weeks-表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3SILICON43A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004e3-Obsolete1 (Unlimited)2EAR9913.8MOhm鸥翼260-30-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET40WDRAIN7.1 nsN-ChannelSWITCHING13.8m Ω @ 15A, 10V-780pF @ 15V11nC @ 4.5V28ns-±20V3.5 ns43A20V28 mJ2.26mm6.7056mm6.22mmROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free表面贴装HEXFET®Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier30V43A2.25V @ 250μA1.8VTO-252AA30V35 ns1.8 V无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLR7807ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 43A DPAK | 对比 |
 | FDB6030L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
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