ON Semiconductor ATP102-TL-H

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

ATPAK (2 leads+tab)

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Turn Off Delay Time

135 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

18.5mOhm

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

18.5m Ω @ 20A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1490pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

上升时间

135ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

185 ns

连续放电电流(ID)

40A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

雪崩能量等级（Eas）

58 mJ

高度

1.5mm

长度

6.5mm

宽度

7.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅