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ATP103-TL-H备选型号: NTD4302T4G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET P-CH 30V 55A ATPAKACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks表面贴装ATPAK (2 leads+tab)YES355A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2009e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)3Single19 nsP-Channel13m Ω @ 28A, 10V无卤素2430pF @ 10V47nC @ 10V400ns30V±20V145 ns55A20V-30V无ROHS3 Compliant无铅--------------------
Trans MOSFET N-CH 30V 68A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)2 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES48.4A Ta 68A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)4Single-N-Channel10m Ω @ 20A, 10V-2400pF @ 24V80nC @ 10V15ns-±20V-18.5A20V30V无ROHS3 Compliant无铅SILICON27.8MOhmAVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE30V鸥翼26068A40R-PSSO-G2增强型MOSFET75WDRAINSWITCHING3V @ 250μA1.9V28A722 mJ1.9 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR3707PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | 对比 |
| NTD4302G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | 对比 |
 | NTD4302-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK | 对比 |
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