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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.192874
10
¥11.502713
100
¥10.851615
500
¥10.237375
1000
¥9.657901
ON Semiconductor ATP103-TL-H
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- 对比
ATP103-TL-H
1807-ATP103-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ATPAK (2 leads+tab)
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MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ATP103-TL-H详情
ON Semiconductor ATP103-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
ATPAK (2 leads+tab)
表面安装
YES
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
55A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
50W Tc
Turn Off Delay Time
150 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
引脚数量
3
元素配置
Single
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 28A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2430pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 10V
上升时间
400ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
145 ns
连续放电电流(ID)
55A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ATP103-TL-H拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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