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首页 全部分类 ATP112-TL-H vs NTD5867NLT4G

ATP112-TL-H备选型号: NTD5867NLT4G

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ATP112-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    25A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    not_compliant
    3
    Single
    40W
    10 ns
    P-Channel
    43m Ω @ 13A, 10V
    无卤素
    1450pF @ 20V
    33.5nC @ 10V
    60V
    ±20V
    25A
    20V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD5867NLT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    4
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    4
    Single
    36W
    6.5 ns
    N-Channel
    39m Ω @ 10A, 10V
    -
    675pF @ 25V
    15nC @ 10V
    -
    ±20V
    20A
    20V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    2
    39MOhm
    雪崩 额定
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2.5V @ 250μA
    12.6ns
    2.4 ns
    1.8V
    60V
    76A
    1.8 V
    20.6ns
    无SVHC
    无
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