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首页 全部分类 ATP202-TL-H vs IRF6621TRPBF

ATP202-TL-H备选型号: IRF6621TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 无铅
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ATP202-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    50A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    12mOhm
    not_compliant
    3
    Single
    40W
    16 ns
    N-Channel
    12m Ω @ 25A, 10V
    无卤素
    1650pF @ 10V
    27nC @ 10V
    185ns
    30V
    ±20V
    93 ns
    50A
    20V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6621TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
    -
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    -
    5
    12A Ta 55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e1
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    42W
    12 ns
    N-Channel
    9.1m Ω @ 12A, 10V
    -
    1460pF @ 15V
    17.5nC @ 4.5V
    14ns
    -
    ±20V
    4.1 ns
    9.6A
    20V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    2
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    30V
    BOTTOM
    12A
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.25V @ 250μA
    0.0091Ohm
    30V
    96A
    13 mJ
    1.8 V
    无SVHC
    无
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