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首页 全部分类 ATP212-TL-H vs BSZ180P03NS3GATMA1

ATP212-TL-H备选型号: BSZ180P03NS3GATMA1

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  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • ON Semiconductor
    ATP212-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    35A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3
    Single
    40W
    16 ns
    N-Channel
    23m Ω @ 18A, 10V
    无卤素
    1820pF @ 20V
    34.5nC @ 10V
    110ns
    60V
    ±20V
    87 ns
    35A
    20V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ180P03NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A Automotive 8-Pin TSDSON EP
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    9A Ta 39.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    8
    -
    40W
    -
    P-Channel
    18m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    2220pF @ 15V
    30nC @ 10V
    11ns
    30V
    ±25V
    -
    39.6A
    25V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    18 Weeks
    表面贴装
    SILICON
    OptiMOS™
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    3.1V @ 48μA
    -30V
    9A
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