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首页 全部分类 ATP212-TL-H vs IPP180N10N3GXKSA1

ATP212-TL-H备选型号: IPP180N10N3GXKSA1

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    ATP212-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    35A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3
    Single
    40W
    16 ns
    N-Channel
    23m Ω @ 18A, 10V
    无卤素
    1820pF @ 20V
    34.5nC @ 10V
    110ns
    60V
    ±20V
    87 ns
    35A
    20V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP180N10N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
    -
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    3
    -
    71W
    12 ns
    N-Channel
    18m Ω @ 33A, 10V
    无卤素
    1800pF @ 50V
    25nC @ 10V
    -
    -
    ±20V
    5 ns
    43A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 Weeks
    通孔
    SILICON
    OptiMOS™
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    3.5V @ 33μA
    TO-220AB
    100V
    50 mJ
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