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ATP214-TL-H备选型号: IPB80N06S407ATMA2
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 60V 75A ATPAKACTIVE (Last Updated: 1 week ago)表面贴装ATPAK (2 leads+tab)YES375A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2010e6yesDiscontinued1 (Unlimited)Tin/Bismuth (Sn/Bi)3Single60W30 nsN-Channel8.1m Ω @ 38A, 10V无卤素4850pF @ 20V96nC @ 10V240ns±20V250 ns75A20V60V无ROHS3 Compliant无铅---------------------
Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009-yes活跃1 (Unlimited)--Single79W15 nsN-Channel--4500pF @ 25V56nC @ 10V3ns±20V5 ns80A20V--ROHS3 Compliant无铅16 Weeks表面贴装1.946308gSILICONAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™2鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAIN4V @ 40μA60V320A7.1mOhm7.1 mΩ4.4mm10mm9.25mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NVD5863NLT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4 | 对比 |
 | IPI80N06S407AKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R | 对比 |
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