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首页 全部分类 ATP214-TL-H vs NVD5863NLT4G

ATP214-TL-H备选型号: NVD5863NLT4G

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    ATP214-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    75A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3
    Single
    60W
    30 ns
    N-Channel
    8.1m Ω @ 38A, 10V
    无卤素
    4850pF @ 20V
    96nC @ 10V
    240ns
    ±20V
    250 ns
    75A
    20V
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVD5863NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 hours ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    4
    14.9A Ta 82A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    4
    Single
    3.1W
    12.8 ns
    N-Channel
    7.1m Ω @ 41A, 10V
    -
    3850pF @ 25V
    70nC @ 10V
    24.4ns
    ±20V
    55 ns
    82A
    20V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    27 Weeks
    SILICON
    2
    EAR99
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3V @ 250μA
    60V
    60V
    320 mJ
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
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