AUIRF3315S备选型号: AUIRF6215STRL
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
- MOSFET N-CH 150V 21A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装349 ns2010HEXFET®Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)EAR99Single3.8W9.6 nsN-Channel82m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V95nC @ 10V32ns±20V38 ns21A2V20V150V9.65mm10.67mm4.83mmROHS3 Compliant无无SVHC---------------
- MOSFET P-CH 150V 13A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装313A Tc2015HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99-3.8W14 nsP-Channel290m Ω @ 6.6A, 10V4V @ 250μA860pF @ 25V66nC @ 10V36ns±20V37 ns13A-20V-150V---ROHS3 Compliant无-16 WeeksSILICON2雪崩 额定SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING150V0.29Ohm44A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF3315SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 对比 |
![]() | AUIRF6215STRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK | 对比 |



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