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AUIRF3315S备选型号: IRFS23N15DTRLP
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- ECCN 代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装349 ns2010HEXFET®Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)EAR99Single3.8W9.6 nsN-Channel82m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V95nC @ 10V32ns±20V38 ns21A2V20V150V9.65mm10.67mm4.83mmROHS3 Compliant无无SVHC--------------- MOSFET N-CH 150V 23A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装323A Tc2004HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Single3.8W10 nsN-Channel90m Ω @ 14A, 10V5.5V @ 250μA1200pF @ 25V56nC @ 10V32ns±30V8.4 ns23A-30V150V---ROHS3 Compliant无-14 WeeksSILICON2150V鸥翼23AR-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.09Ohm92A260 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3315SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 对比 |
| AUIRF6215STRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK | 对比 |
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