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AUIRF3710ZSTRL备选型号: IRFS4510PBF
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK16 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON59A Tc2010HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-XSSO-G2Single增强型MOSFET160W17 nsN-ChannelSWITCHING18m Ω @ 35A, 10V4V @ 250μA2900pF @ 25V120nC @ 10V77ns±20V56 ns59A20V0.018Ohm100V240A200 mJ4.826mm10.668mm9.65mmROHS3 Compliant无------ MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK52 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3-61A Tc2007HEXFET®Tube-55°C~175°C TJ-Discontinued1 (Unlimited)-EAR99-----Single-140W13 nsN-Channel-13.9m Ω @ 37A, 10V4V @ 100μA3180pF @ 50V87nC @ 10V32ns±20V-61A20V----4.83mm10.67mm9.65mmROHS3 Compliant-100V3V3 V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB3652-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | 对比 |
| IRFS4510PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS4610 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | 对比 |
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