AUIRF4905备选型号: HUF75339P3

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    Automotive Q101 -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
    16 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    74A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 38A, 10V
    4V @ 250μA
    3400pF @ 25V
    180nC @ 10V
    99ns
    55V
    ±20V
    96 ns
    74A
    -2V
    TO-220AB
    20V
    0.02Ohm
    -55V
    260A
    16.51mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220; UltraFET®
    9 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    2000pF @ 25V
    130nC @ 20V
    60ns
    -
    ±20V
    25 ns
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    -
    55V
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    12mOhm
    55V
    未说明
    75A
    未说明
    不合格
    无铅
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