Infineon Technologies AUIRF3205
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AUIRF3205
1211-AUIRF3205
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
--最小包装量--
AUIRF3205详情
Infineon Technologies AUIRF3205重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
200W Tc
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
功率耗散
200W
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 62A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3247pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
146nC @ 10V
上升时间
101ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
65 ns
连续放电电流(ID)
75A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
高度
9.02mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AUIRF3205拓展信息
Infineon Technologies
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