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首页 全部分类 AUIRF7484QTR vs IRF7455TRPBF

AUIRF7484QTR备选型号: IRF7455TRPBF

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  • 配置
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF7484QTR
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
    26 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    180 ns
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2015
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    1
    9.3 ns
    N-Channel
    10m Ω @ 14A, 7V
    2V @ 250μA
    3520pF @ 25V
    100nC @ 7V
    5ns
    40V
    ±8V
    58 ns
    14A
    8V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7455TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
    12 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    1
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    1
    17 ns
    N-Channel
    7.5m Ω @ 15A, 10V
    2V @ 250μA
    3480pF @ 25V
    56nC @ 5V
    18ns
    -
    ±12V
    44 ns
    15A
    12V
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    8
    7.5mOhm
    雪崩 额定
    30V
    DUAL
    鸥翼
    15A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    SWITCHING
    2V
    30V
    30V
    200 mJ
    96 ns
    150°C
    2 V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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IRF7455TRPBF IRF7455TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 对比