Infineon Technologies IRF7455TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

51 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta

Breakdown Voltage / V

30V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

7.5mOhm

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

15A

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3480pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 5V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

44 ns

连续放电电流(ID)

15A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

恢复时间

96 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

2 V

宽度

3.9878mm

长度

4.9784mm

高度

1.75mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free