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AUIRF7669L2TR备选型号: BSC040N10NS5ATMA1
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 无铅代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET16 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L815SILICON19A Ta 114A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011e3活跃1 (Unlimited)9EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYBOTTOMR-XBCC-N9SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET100WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING4.4m Ω @ 68A, 10V5V @ 250μA5660pF @ 25V120nC @ 10V30ns±20V14 ns114A20V375A0.0044Ohm100V460A850 mJ无ROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013-活跃1 (Unlimited)5---DUALR-PDSO-F5-增强型MOSFET139WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 50A, 10V3.8V @ 95μA5300pF @ 50V72nC @ 10V9ns±20V10 ns100A20V-0.004Ohm100V400A200 mJ-ROHS3 Compliant含铅506.605978mgyesFLAT未说明not_compliant未说明1Single无卤素100V150°C1.1mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMS86150ET100 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 | 对比 |
| BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON | 对比 |
 | IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 对比 |
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