ON Semiconductor FDMS86150ET100
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FDMS86150ET100
1807-FDMS86150ET100
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
--最小包装量--
FDMS86150ET100详情
ON Semiconductor FDMS86150ET100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
56.5mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Ta 128A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
3.3W Ta 187W Tc
Turn Off Delay Time
28 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.85m Ω @ 16A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4065pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62nC @ 10V
上升时间
8.3ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
128A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMS86150ET100拓展信息
ON Semiconductor
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