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AUIRF7749L2TR备选型号: IRF7749L2TRPBF
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET16 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L8AUIRF7749L2TR36A Ta 345A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明13.8W29 nsN-Channel1.5m Ω @ 120A, 10V4V @ 250μA10655pF @ 25V275nC @ 10V36A2V60V60V175°C740μmROHS3 Compliant---------------------
MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L812 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L8IRF7749L2TRPBF33A Ta 375A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009不用于新设计1 (Unlimited)EAR992603013.8W29 nsN-Channel1.5m Ω @ 120A, 10V4V @ 250μA12320pF @ 25V300nC @ 10V33A4V60V60V175°C740μmROHS3 Compliant8SILICONe19锡银铜BOTTOMR-XBCC-N9SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING43ns±20V39 ns375A260 mJ2.9 V9.144mm7.112mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NVMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel Power MOSFET 60V, 287A, 1.2mO 1500 / Tape & Reel | 对比 |
| NTMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C604NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 60 V, 0.00093 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
 | FDBL0110N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerSFN | TAPE REEL / TO- , MV7, 60V | 对比 |
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