ON Semiconductor FDBL0110N60
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FDBL0110N60
1807-FDBL0110N60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSFN
大陆
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TAPE REEL / TO- , MV7, 60V
--最小包装量--
FDBL0110N60详情
ON Semiconductor FDBL0110N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSFN
引脚数
8
质量
850.0521mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
429W Tj
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-F2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13650pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
220nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
300A
JEDEC-95代码
MO-299A
漏极-源极导通最大电阻
0.0011Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
1167 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDBL0110N60拓展信息
ON Semiconductor
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