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首页 全部分类 AUIRF7799L2TR vs FDB44N25TM

AUIRF7799L2TR备选型号: FDB44N25TM

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 辐射硬化
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  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 无铅代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF7799L2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    15
    SILICON
    375A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N9
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    36.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 21A, 10V
    5V @ 250μA
    6714pF @ 25V
    165nC @ 10V
    33.5ns
    ±30V
    26.6 ns
    6.6A
    30V
    35A
    0.038Ohm
    250V
    325 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB44N25TM
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDB44N25TM - MOSFET, N-CH, 250V, 44A, TO-263AB-2
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    2
    SILICON
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    307W
    DRAIN
    55 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    69m Ω @ 22A, 10V
    5V @ 250μA
    2870pF @ 25V
    61nC @ 10V
    400ns
    ±30V
    115 ns
    44A
    30V
    -
    -
    250V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    1.31247g
    e3
    yes
    69mOhm
    Tin (Sn)
    快速切换
    250V
    鸥翼
    44A
    1
    Single
    5V
    150°C
    5 V
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无SVHC
    无铅
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