Infineon Technologies IRFS4229PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

330W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

功率耗散

330W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

48m Ω @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

45A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

双电源电压

250V

恢复时间

290 ns

栅源电压

5 V

高度

4.572mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅