AUIRFN8403TR备选型号: IRFH7446TRPBF

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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    95A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    IRFN8403
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 50A, 10V
    3.9V @ 100μA
    3174pF @ 25V
    98nC @ 10V
    37ns
    40V
    ±20V
    26 ns
    95A
    20V
    0.0033Ohm
    492A
    40V
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    5
    SILICON
    78W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 50A, 10V
    3.9V @ 100μA
    3174pF @ 25V
    98nC @ 10V
    37ns
    -
    ±20V
    26 ns
    85A
    20V
    -
    468A
    -
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    3.3MOhm
    78W
    2.2V
    40V
    无SVHC
    无铅
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