Infineon Technologies AUIRFN8403TR

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

95A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4.3W Ta 94W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IRFN8403

JESD-30代码

R-PDSO-F5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3174pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

98nC @ 10V

上升时间

37ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

95A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0033Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

492A

DS 击穿电压-最小值

40V

高度

1.17mm

长度

5.85mm

宽度

5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant