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首页 全部分类 AUIRFN8403TR vs IRFH9310TRPBF

AUIRFN8403TR备选型号: IRFH9310TRPBF

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  • 基本部件号
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    AUIRFN8403TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    95A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    IRFN8403
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 50A, 10V
    3.9V @ 100μA
    3174pF @ 25V
    98nC @ 10V
    37ns
    40V
    ±20V
    26 ns
    95A
    20V
    0.0033Ohm
    492A
    40V
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH9310TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    21A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    2 (1 Year)
    3
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    260
    30
    -
    R-PDSO-N3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    25 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 21A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5250pF @ 15V
    58nC @ 4.5V
    47ns
    30V
    ±20V
    70 ns
    21A
    20V
    0.0046Ohm
    -
    -
    950μm
    6mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    e3
    Matte Tin (Sn)
    3.1W
    -1.9V
    40A
    -30V
    -1.9 V
    无SVHC
    无
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