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首页 全部分类 AUIRFN8458TR vs IPD50N04S4L08ATMA1

AUIRFN8458TR备选型号: IPD50N04S4L08ATMA1

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 无卤素
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  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRFN8458TR
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 43A 8-Pin PQFN T/R
    11 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (5x6)
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    8mOhm
    175°C
    -55°C
    34W
    2
    Dual
    9.7 ns
    34W Tc
    2 N-Channel (Dual)
    10mOhm @ 26A, 10V
    3.9V @ 25μA
    1060pF @ 25V
    33nC @ 10V
    71ns
    40V
    19 ns
    43A
    20V
    Standard
    10mOhm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N04S4L08ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4 ns
    -
    N-Channel
    7.3m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 17μA
    2340pF @ 25V
    30nC @ 10V
    8ns
    -
    18 ns
    50A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2010
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    无卤素
    +20V, -16V
    40V
    200A
    55 mJ
    含铅
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