Infineon Technologies AUIRFN8458TR
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AUIRFN8458TR
1211-AUIRFN8458TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 40V 43A 8-Pin PQFN T/R
--最小包装量--
AUIRFN8458TR详情
Infineon Technologies AUIRFN8458TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
11 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PQFN (5x6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
43A Tc
Turn Off Delay Time
11 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
8mOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
34W
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
9.7 ns
功率 - 最大
34W Tc
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
10mOhm @ 26A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1060pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
71ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
19 ns
连续放电电流(ID)
43A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管特性
Standard
漏源电阻
10mOhm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AUIRFN8458TR拓展信息
Infineon Technologies
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