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首页 全部分类 AUIRFN8458TR vs IRF6614TRPBF

AUIRFN8458TR备选型号: IRF6614TRPBF

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  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRFN8458TR
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 43A 8-Pin PQFN T/R
    11 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (5x6)
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    8mOhm
    175°C
    -55°C
    34W
    2
    Dual
    9.7 ns
    34W Tc
    2 N-Channel (Dual)
    10mOhm @ 26A, 10V
    3.9V @ 25μA
    1060pF @ 25V
    33nC @ 10V
    71ns
    40V
    19 ns
    43A
    20V
    Standard
    10mOhm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6614TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ST
    5
    -
    12.7A Ta 55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    8.3MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    13 ns
    -
    N-Channel
    8.3m Ω @ 12.7A, 10V
    2.25V @ 250μA
    2560pF @ 20V
    29nC @ 4.5V
    27ns
    -
    3.6 ns
    10.1A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2006
    e1
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    40V
    BOTTOM
    12.7A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    1.8V
    40V
    22 mJ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    无铅
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