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首页 全部分类 AUIRFN8459TR vs IRFH7936TRPBF

AUIRFN8459TR备选型号: IRFH7936TRPBF

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 配置
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRFN8459TR
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    4.8mOhm
    超低电阻
    50W
    FLAT
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PDSO-F6
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 40A, 10V
    3.9V @ 50μA
    2250pF @ 25V
    60nC @ 10V
    55ns
    40V
    42 ns
    50A
    20V
    40V
    66 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH7936TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    20A Ta 54A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    17 ns
    N-Channel
    -
    4.8m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2360pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    12ns
    -
    7 ns
    54A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Single
    3.1W
    ±20V
    76A
    30V
    1.1684mm
    5.2324mm
    6.1468mm
    无SVHC
    无
    无铅
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