Infineon Technologies AUIRFN8459TR

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.8mOhm

附加功能

超低电阻

最大功率耗散

50W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F6

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.9m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2250pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

55ns

漏源电压 (Vdss)

40V

下降时间（典型值）

42 ns

连续放电电流(ID)

50A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

66 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant