Infineon Technologies IRFH7936TRPBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta 54A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.8m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2360pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 4.5V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

54A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

76A

漏源击穿电压

30V

高度

1.1684mm

长度

5.2324mm

宽度

6.1468mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅