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首页 全部分类 AUIRFP2602 vs FCH072N60F

AUIRFP2602备选型号: FCH072N60F

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRFP2602
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 24V 180A TO-247AD
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    380W
    DRAIN
    70 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6m Ω @ 180A, 10V
    4V @ 250μA
    11220pF @ 25V
    390nC @ 10V
    490ns
    24V
    ±20V
    270 ns
    180A
    TO-247AC
    20V
    24V
    400 mJ
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH072N60F
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 52A TO247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    481W
    -
    43 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    72m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    8660pF @ 100V
    215nC @ 10V
    38ns
    -
    ±20V
    25 ns
    52A
    TO-247AB
    20V
    -
    1128 mJ
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6.39g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    0.072Ohm
    600V
    156A
    无铅
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