Infineon Technologies AUIRFP2602

工厂交货时间

11 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

380W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

380W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

70 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6m Ω @ 180A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11220pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

390nC @ 10V

上升时间

490ns

漏源电压 (Vdss)

24V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

270 ns

连续放电电流(ID)

180A

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

24V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

高度

20.7mm

长度

15.87mm

宽度

5.31mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准