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首页 全部分类 AUIRFR8403 vs IRLR8103VPBF

AUIRFR8403备选型号: IRLR8103VPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
  • 长度
  • 宽度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 双电源电压
  • Infineon Technologies
    AUIRFR8403
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    99W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2013
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    IRFR8403
    1
    Single
    99W
    10 ns
    N-Channel
    3.1m Ω @ 76A, 10V
    3.9V @ 100μA
    3171pF @ 25V
    99nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    23 ns
    100A
    3V
    20V
    40V
    3 V
    6.73mm
    6.22mm
    2.39mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8103VPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
    -
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    91A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    89W
    10 ns
    N-Channel
    9m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    2672pF @ 16V
    27nC @ 5V
    9ns
    ±20V
    18 ns
    91A
    3V
    20V
    30V
    3 V
    6.7056mm
    6.22mm
    2.3876mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    9mOhm
    30V
    89A
    30V
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